Продолжение
Часть 1/7, 2/7, 3/7, 4/7, 5/7, 6/7
Понятно, что на такое развитие отечественной микроэлектроники, которое позволило бы заметно сократить ее отставание от развитых стран, рассчитывать не приходится, и на то имеется много объективных причин. И все-таки: это окончательный приговор или можно надеяться, например, на то, что объединение инженерных усилий, ресурсов, совместное финансирование в рамках БРИКС позволит со временем освоить необходимые передовые технологии? Или щедрое и хорошо контролируемое госфинансирование позволит реализовать качественно новые подходы и даст мощный толчок развитию микроэлектроники?
- Начнем с середины вопроса. Возможна ли кооперация нескольких стран в рамках БРИКС для создания передовой микроэлектроники? Для этого необходимо, чтобы эти страны оказались готовы к получению такого же уровня санкций США, который испытывает Россия. По-моему, это пока нереально. Кроме того, во главе этой кооперации, очевидно, должна быть страна с наиболее развитой микроэлектроникой. В БРИКС это Китай. Готов ли Китай делиться своими технологиями с другими странами и особенно с Индией?
Что касается каких-то качественно новых подходов, которые обеспечат революционный рывок развития технологий микроэлектроники, то я в них не верю по двум причинам. Во-первых, физику и технологию не обманешь. Революционными этапами развития было создание транзисторов и планарной технологии изготовления микросхем. Далее всё развивалось и продолжает развиваться, главным образом, за счет уменьшения размеров и усложнения технологии. Во-вторых, более чем за сорокалетний период своей работы в микроэлектронике мне доводилось готовить десятки отзывов на якобы революционные предложения разных организаций и граждан. Среди них не помню ни одного, которое имело бы обоснование для экспериментальной проверки.
Теперь к началу вопроса. Утверждение, что «… такое развитие отечественной микроэлектроники, которое позволило бы заметно сократить ее отставание от развитых стран, рассчитывать не приходится», на мой взгляд, некорректно. О каких странах мы говорим? И о какой технологии? В 2024 г. всего две корпорации в мире – TSMC (Тайвань) и Samsung (Корея) – изготавливали чипы микросхем с технологическим уровнем 3 нм и наметили выход на уровень 2 нм в 2025–2026 гг. Соглашусь, что пока путь достижения уровня, близкого к тому, которого достигли эти компании, даже не просматривается. Владение такими технологиями стоит очень и очень дорого, и многие компании, бывшие еще 5–10 лет назад в числе передовых, остановились на том или ином предыдущем технологическом уровне, а затем перешли на изготовление чипов на основе своих разработок в TSMC и другие контрактные фабрики (фаундри). Вполне вероятно, и Россия могла бы пойти по такому пути, но передовые фаундри перестали выполнять российские заказы. И теперь мы преодолеваем многократно возросшие проблемы и очень сожалеем об упущенных возможностях. Например, о проекте, предлагавшемся еще в 2009 г., когда мы только завершали запуск технологии уровня 180 нм на пластинах диаметром 200 мм. Проект предполагал строительство нового завода и освоение технологии 65 нм на пластинах 300 мм. По какой-то причине на него в последний момент не нашлось финансирования. А ведь тогда осуществить проект можно было без особых проблем по аналогии с запуском технологии 180 нм, а затем и 90 нм в ОАО «НИИМЭ и Микрон». И оборудование можно было купить, и несколько зарубежных компаний готовы были продать лицензию на технологию. Если бы тот проект был выполнен и поддержано дальнейшее развитие, то уже к 2014 г. в России могла бы появиться 28-нм технология. Однако случилось то, что случилось.
Считаю, что нынешней целью программы развития нашей отрасли должна быть не погоня за самым передовым уровнем, а достижение технологической независимости в микроэлектронике, как она определена выше.
>>Click here to continue<<
