🚀 Революция в мире транзисторов! 🌟
Японские ученые из Токийского университета представили невероятную новинку — транзистор из легированного галлием оксида индия с конструкцией gate-all-around! 💡 Этот прорыв открывает новые горизонты в электронике, обеспечивая большую стабильность и эффективность по сравнению с традиционными кремниевыми моделями.
Как мы все знаем, транзисторы стали одним из величайших изобретений 20 века, и с каждым годом их уменьшение становится всё более сложной задачей. Исследовательская группа нашла решение, отказавшись от кремния и обратившись к инновационному материалу. 💪
🛠 Ключевые факты о новинке:
- Gate-all-around структура улучшает эффективность и масштабируемость!
- Легирование оксида индия галлием подавляет кислородные вакансии, повышая надежность устройства.
- Новый MOSFET demonстрирует высокую подвижность 44,5 см²/В·с и стабильную работу при напряжении в течение почти трёх часов!
Это исследование — шаг к созданию надежных электронных компонентов высокой плотности, что очень важно для таких приложений, как большие данные и искусственный интеллект. 🤖💻 Эти крошечные транзисторы могут преобразить нашу повседневную жизнь и улучшить технологии следующего поколения!
Статья о транзисторе с круговым затвором будет опубликована на Симпозиуме по технологиям и схемам СБИС 2025 года. Не пропустите будущие тренды в электронике! 🌐✨
>>Click here to continue<<
